BYQ28E(F,B)-100 thru BYQ28E(F,B)-200, UG(F,B)10BCT
Vishay General Semiconductor
www.vishay.com For technical questions within your
region, please contact one of the following:
PDD-Americas@vishay.com, PDD-Asia@vishay.com, PDD-Europe@vishay.com
Document Number: 88549
Revision: 07-Jan-08
2
Note:
(1) Pulse test: 300 μs pulse
width, 1 % duty cycle
Note:
(1) Automotive grade AEC Q101 qualified
ELECTRICAL CHARACTERISTICS (TC
= 25 °C unless otherwise noted)
PARAMETER TEST CONDITIONS SYMBOL VALUE UNIT
Maximum instantaneous forward voltage
per diode (1)
IF
= 10 A
IF
= 5 A
IF
= 5 A
TJ
= 25 °C
TJ = 25 °C
TJ
= 150 °C
VF
1.25
1.10
0.895
V
Maximum reverse current per diode at
working peak reverse voltage
TJ
= 25 °C
TJ
= 100 °C
IR
10
200
μA
Maximum reverse recovery time per diode IF
= 1.0 A, dI/dt = 100 A/μs, V
R
= 30 V, I
rr
= 0.1 I
RM
t
rr
25 ns
Maximum reverse recovery time per diode IF
= 0.5 A, I
R
= 1.0 A, I
rr
= 0.25 A t
rr
20 ns
Maximum stored charge per diode IF
= 2 A, dI/dt = 20 A/μs, V
R
= 30 V, I
rr
= 0.1 I
RM
Q
rr
9nC
THERMAL CHARACTERISTICS (TC
= 25 °C unless otherwise noted)
PARAMETER SYMBOL
UG10 UGF10 UGB10
UNIT
BYQ28E BYQ28EF BYQ28EB
Typical thermal resistance per diode, junction to ambient RθJA
50 55 50
°C/W
Typical thermal resistance per diode, junction to case RθJC
4.5 6.7 4.8
ORDERING INFORMATION
(Example)
PACKAGE PREFERRED P/N UNIT WEIGHT (g) PACKAGE CODE BASE QUANTITY DELIVERY MODE
TO-220AB BYQ28E-200-E3/45 1.80 45 50/tube Tube
ITO-220AB BYQ28EF-200-E3/45 1.95 45 50/tube Tube
TO-263AB BYQ28EB-200-E3/45 1.77 45 50/tube Tube
TO-263AB BYQ28EB-200-E3/81 1.77 81 800/reel Tape reel
TO-220AB BYQ28E-200HE3/45
(1)
1.80 45 50/tube Tube
ITO-220AB BYQ28EF-200HE3/45
(1)
1.95 45 50/tube Tube
TO-263AB BYQ28EB-200HE3/45
(1)
1.77 45 50/tube Tube
TO-263AB BYQ28EB-200HE3/81
(1)
1.77 81 800/reel Tape reel
相关PDF资料
UGB18DCTHE3/81 DIODE 18A 200V 20NS DUAL UF
UGF8JCTHE3/45 DIODE 8A 600V 25NS DUAL TO220-2
UH4PDCHM3/86A DIODE 4A 200V 25NS DUAL TO277A
UHF20FCT-E3/4W DIODE 20A 300V 25NS DUAL TO220-3
UMN10NTR DIODE SWITCH 80V 100MA SOT-363
UMN11NTN DIODE SW 80V 100MA SOT-363 TR
UMN1NTR DIODE SWITCH 80V 25MA SOT-353
UMN20NTR DIODE SWITCH 80V 0.1A UMD6
相关代理商/技术参数
UGB10FCT 制造商:VISHAY 制造商全称:Vishay Siliconix 功能描述:ULTRAFAST SOFT RECOVERY RECTIFIER
UGB10FCT/31 功能描述:整流器 10A 300V 35ns Dual RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 产品:Standard Recovery Rectifiers 配置: 反向电压:100 V 正向电压下降: 恢复时间:1.2 us 正向连续电流:2 A 最大浪涌电流:35 A 反向电流 IR:5 uA 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:DO-221AC 封装:Reel
UGB10FCT/45 功能描述:整流器 300 Volt 10 Amp 35ns Dual 60 Amp IFSM RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 产品:Standard Recovery Rectifiers 配置: 反向电压:100 V 正向电压下降: 恢复时间:1.2 us 正向连续电流:2 A 最大浪涌电流:35 A 反向电流 IR:5 uA 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:DO-221AC 封装:Reel
UGB10FCT/81 功能描述:整流器 300 Volt 10 Amp 35ns Dual 60 Amp IFSM RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 产品:Standard Recovery Rectifiers 配置: 反向电压:100 V 正向电压下降: 恢复时间:1.2 us 正向连续电流:2 A 最大浪涌电流:35 A 反向电流 IR:5 uA 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:DO-221AC 封装:Reel
UGB10FCT-E3/31 功能描述:整流器 300 Volt 10 Amp 35ns Dual 60 Amp IFSM RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 产品:Standard Recovery Rectifiers 配置: 反向电压:100 V 正向电压下降: 恢复时间:1.2 us 正向连续电流:2 A 最大浪涌电流:35 A 反向电流 IR:5 uA 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:DO-221AC 封装:Reel
UGB10FCT-E3/45 功能描述:整流器 300 Volt 10 Amp 35ns Dual 60 Amp IFSM RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 产品:Standard Recovery Rectifiers 配置: 反向电压:100 V 正向电压下降: 恢复时间:1.2 us 正向连续电流:2 A 最大浪涌电流:35 A 反向电流 IR:5 uA 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:DO-221AC 封装:Reel
UGB10FCT-E3/81 功能描述:整流器 10A 300V 35ns Dual RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 产品:Standard Recovery Rectifiers 配置: 反向电压:100 V 正向电压下降: 恢复时间:1.2 us 正向连续电流:2 A 最大浪涌电流:35 A 反向电流 IR:5 uA 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:DO-221AC 封装:Reel
UGB10FCTHE3/45 功能描述:整流器 10 Amp 300 Volt 35ns Dual 60 Amp IFSM RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 产品:Standard Recovery Rectifiers 配置: 反向电压:100 V 正向电压下降: 恢复时间:1.2 us 正向连续电流:2 A 最大浪涌电流:35 A 反向电流 IR:5 uA 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:DO-221AC 封装:Reel